Niemalże co roku kolejny procesor wychodzący z fabryk przodujących producentów cechuje się zastosowaniem niższego procesu litograficznego, czyli mniejszych tranzystorów o tej samej budowie. IBM oraz Samsung pochwalili się, że wspólnie opracowali nowy typ tranzystora VTFET, który ma być zdecydowanie lepszy. Procesory wykorzystujące tę technologię będą o wiele wydajniejsze lub bardziej energooszczędne.
Samsung i IBM opracowali rewolucyjne rozwiązanie – tranzystory nowego typu VTFET
W obecnych procesorach SoC tranzystory są oparte bezpośrednio na płacie krzemu. Przy takim ustawieniu prąd przepływa z boku na bok – poziomo. Tranzystory nowego typu opracowane przez Samsunga oraz IBM, czyli VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors), mają być ustawiane prostopadle do siebie, a jak sama nazwa mówi – prąd ma przepływać przez nie pionowo.
Samsung oraz IBM twierdzą, że nowa budowa wyróżnia się dwoma głównymi zaletami i jednocześnie stanowi znaczącą przewagę nad czipami o „standardowej” budowie. Tranzystory ułożone wertykalnie mają zapewnić lepsze przewodnictwo prądu, a także mniejsze straty energii, co sprawi, że sprawność energetyczna układów z wykorzystaniem nowych tranzystorów ma być o wiele wyższa. Samsung i IBM szacują, że technologia VTFET zaoferuje dwukrotnie wyższą wydajność w procesorach lub nawet do 85% mniejsze zużycie energii niż obecna generacja FinFET.
Samsung i IBM twierdzą także, iż procesory z wertykalnie ustawionymi tranzystorami będą tak energooszczędne, że smartfony wyposażone w takie układy mają działać nawet tydzień na jednym ładowaniu. Niemniej jednak twórcy procesorów będą musieli wybrać wysoką wydajność albo długi czas na baterii, gdyż niestety nie da się połączyć obu tych zalet.
Ponadto układy bazujące na VTFET mają idealnie się sprawdzać w przypadku wydobywania kryptowalut, bowiem powinny być bardziej energooszczędne oraz jednocześnie mniej szkodliwe dla środowiska.
Samsung i IBM na razie nie wiedzą, kiedy wprowadzą technologię do konsumenckich układów CPU. Co więcej, obaj zapowiadają, że zamierzają tworzyć tranzystory poniżej 1 nm, jednak obecnie nie mają planów zastosować technologii VTFET w tego typu litografii. Ma być ona zarezerwowana dla „większych” procesów technologicznych.
