Samsung oraz Qualcomm ogłosili, że ich nowy mobilny chipset, Snapdragon 835, będzie produkowany przy użyciu 10 nm procesu technologicznego FinFET od Samsunga. Pierwsze urządzenia z tym układem zadebiutują w pierwszej połowie 2017 roku.
Według Samsunga i Qualcomma, użycie do produkcji Sanpdragona 835 10-nanometrowego procesu litograficznego poskutkuje zmniejszeniem miejsca, potrzebnego do zainstalowania procesora w urządzeniach. Da to większe pole do popisu dla producentów smartfonów, którzy już teraz muszą się głowić, jak efektywnie rozmieścić podzespoły w niewielkich obudowach swoich urządzeń. Technologia 10 nm pozwoli również na zwiększenie wydajności o 30% w porównaniu do procesorów opartych o 14 nm produkcję, lub zmniejszenie zużycia energii nawet o 40%.
Nowy układ jest wyposażony w czwartą generację Quick Charge, która oferuje ładowanie o 20% szybsze, niż ostatnie tego typu rozwiązanie używane w chipsetach Qualcomma. Firma twierdzi, że jest w stanie zapewnić nawet 5 godzin dodatkowego czasu pracy jedynie po pięciu minutach ładowania, a w ciągu zaledwie 15 minut naładuje baterię do połowy.
Co ciekawe, zyskaliśmy informację, że pierwsze urządzenia ze Snapdragonem 835 pojawią się w pierwszej połowie 2017 roku. Oznaczałoby to, że we flagowych smartfonach, w tym Samsungu Galaxy S8, zostanie zainstalowany Snapdragon o oznaczeniu 835, a nie 830. Całkiem możliwe, że 830-stka zostanie potraktowana jako odrobinę mniej wydajna wersja Snapdragona 835 i montowana w innych modelach Samsunga z wysokiej półki.
Równocześnie Samsung pracuje nad własnym układem, Exynosem 8895, który też będzie produkowany w 10 nm technologii i całkiem możliwe, że również trafi do Galaxy S8.
Oczekuje się, że produkcja procesorów będzie głównym czynnikiem wzrostu Samsunga w najbliższych latach, a dalsza współpraca firmy z Qualcommem wyjdzie jej tylko na dobre.
źródło: Samsung Newsroom przez Sammobile i Endgadget