Miniaturyzacja w odniesieniu do świata technologicznego jest zjawiskiem powszechnym, pożądanym i pod wieloma względami pozytywnym. Pozwala tworzyć jeszcze mniejsze, ale też bardziej zaawansowane urządzenia. Producenci podzespołów stale konkurują na tym polu i teraz Samsung może pochwalić się sporym sukcesem.
17 listopada Koreańczycy ogłosili, że udało im się stworzyć moduł pamięci S-RAM w 10 nm procesie FinFET z możliwością odczytu danych z prędkością 128 Mb. Dzięki temu jest on o wiele szybszy od swojego odpowiednika DRAM.
S-RAM stworzona w 10 nm procesie technologicznym zajmuje o 37,5% mniej powierzchni niż S-RAM wykonana w 14 nm. Pozwoli to więc zaoszczędzić całkiem sporo miejsca – w połączeniu z dalszą miniaturyzacją pozostałych podzespołów producenci będą mieli możliwość jeszcze lepszego zagospodarowania miejsca podczas projektowania nowych urządzeń. Nie można też zapominać, że pomoże to zwiększyć ich wydajność przy jednoczesnym ograniczeniu poboru energii z akumulatora.
Na zastosowanie tego rozwiązania musimy jeszcze jednak trochę poczekać, ponieważ Samsung zapowiedział, że masowa produkcja S-RAM w 10 nm procesie technologicznym ruszy dopiero na początku 2017 roku. Konkurenci, czyli Intel i TSMC, muszą się zatem pospieszyć, aby dogonić Koreańczyków, jeśli nie chcą zostać daleko w tyle. Obecnie swoje moduły wytwarzają w – odpowiednio – 14 i 16 nm, więc mają jeszcze trochę do nadrobienia.
Źródło: G for Games
