Koreański producent nie we wszystkim przoduje (tym razem darujemy sobie wskazywanie palcem), ale w tym przypadku w pełni zasłużył sobie na miano lidera. I to już kolejny raz.
Sytuacja biznesu odpowiedzialnego za półprzewodniki jest daleka od oczekiwanej, lecz to nie demotywuje Koreańczyków do wytężonej pracy nad kolejnymi przełomowymi technologiami. Wręcz przeciwnie – są oni zmotywowani, aby być pionierami. I w tym przypadku po raz kolejny im się to udało.
Samsung zaprezentował pierwsze na świecie pamięci 24 Gb GDDR7 DRAM
Koreański producent ogłosił, że opracował pierwsze w branży 24-gigabitowe pamięci GDDR7 DRAM, które według jego deklaracji cechują się nie tylko największą pojemnością, ale też najwyższą szybkością. Dzięki temu mają być „optymalnym rozwiązaniem dla zastosowań nowej generacji”.
O jakich zastosowaniach konkretnie mowa? Na przykład w centrach danych i stacjach roboczych, które wymagają dużej pojemności i wysokiej wydajności pamięci. Samsung uważa, że to „wykracza poza tradycyjne zastosowania pamięci DRAM w kartach graficznych, konsolach do gier i systemach automatycznej jazdy”.
Samsung po raz kolejny jest liderem w branży półprzewodników
Prezentując 24-gigabitowe pamięci GDDR7 DRAM, Koreańczycy ugruntowali swoją pozycję lidera. W zeszłym roku bowiem również jako pierwsi opracowali 16-gigabitowe pamięci GDDR7. Najnowsze wykorzystują 5. generację procesu technologicznego 10-nm klasy, co pozwala na zwiększenie gęstości komórek o 50% przy zachowaniu takiego samego rozmiaru obudowy jak w poprzednim modelu.
Ponadto w najnowszych pamięciach wykorzystano trzypoziomową sygnalizację Pulse-Amplitude Modulation (PAM3). To z kolei ma pomóc osiągnąć wiodącą w branży prędkość pamięci DRAM dla kart graficznych, wynoszącą 40 gigabitów na sekundę (Gbps), co stanowi poprawę o 25% w porównaniu z poprzednią wersją.
Co więcej, wydajność pamięci GDDR7 można zwiększyć nawet do 42,5 Gb/s, w zależności od środowiska użytkowania. Jednocześnie, za sprawą zastosowania różnych metod, jak zarządzanie sterowaniem zegara i konstrukcja podwójnego VDD3, można znacznie ograniczyć zbędne zużycie energii, co prowadzi do ponad 30% poprawy efektywności energetycznej.
Oprócz tego Koreańczycy zastosowali technikę bramkowania mocy, dzięki czemu zmniejszane są upływy prądu – dzięki niej zwiększa się stabilność operacyjna podczas operacji o dużej prędkości. Samsung planuje komercjalizację nowych pamięci na początku 2025 roku.
