Aby smartfon sprawnie wykonywał wydawane mu polecenia, nie wystarczy mocny procesor. Pozostałe komponenty również muszą być szybkie, a oprogramowanie odpowiednio zoptymalizowane – tylko wtedy urządzenie może śmigać jak marzenie. Cały czas jest jednak miejsce na poprawę i wiele wskazuje na to, że Samsung Galaxy S10 jako pierwszy zaoferuje pamięć wewnętrzną typu UFS 3.0.
W Hong Kongu trwa właśnie Qualcomm 4G/5G Summit i Samsung jest jednym z zaproszonych na ten szczyt gości. Koreańczycy oczywiście nie przyjechali na niego z pustymi rękami – przedstawiciel koncernu poinformował, że kości pamięci nowego typu UFS 3.0 zadebiutują na rynku w pierwszej połowie 2019 roku. A to oznacza, że są szanse na to, że pierwszym smartfonem z nimi na pokładzie będzie Galaxy S10.
Początkowo będą one dostępne w trzech wersjach: 128 GB, 256 GB i 512 GB. W 2021 roku dołączy jednak do nich czwarta – 1 TB. Kości pamięci UFS 3.0 mają charakteryzować się nawet dwukrotnie większą przepustowością niż UFS 2.1. Dzięki zastosowaniu nowych rozwiązań, producentowi udało się też zwiększyć gęstość pamięci – a to oznacza, że ich rozmiary pozostaną podobne do modułów poprzedniej generacji.
Samsung przy współpracy z firmą Micron przygotowuje również kości pamięci LPDDR5 RAM. Ich rynkowy debiut jest przewidziany jednak dopiero na 2020 rok, ale już teraz producenci zdradzili, że mają się one charakteryzować przepustowością od 44 GB/s do 51,2 GB/s oraz niższym o 20% zapotrzebowaniem na energię.
Można się spodziewać, że producenci dość szybko zaczną stosować w swoich flagowcach kości pamięci typu UFS 3.0. Ja jednak mam nadzieję, że ich debiut przyniesie jeszcze jeden skutek, a mianowicie taki, że pamięć UFS 2.1 pojawi się na pokładzie smartfonów ze średniej półki i powoli wyprze zauważalnie wolniejszą eMMC.
Źródło: Android Central
