Samsung ogłosił dziś, że rozpoczął już produkcję kości pamięci flash typu UFS o pojemności 512 GB, które mają znaleźć zastosowanie w urządzeniach mobilnych następnej generacji. Do ich wytwarzania Koreańczycy wykorzystują swoje najnowsze, 64-warstwowe 512-gigabitowe chipy V-NAND.
Jak podaje Samsung, nowe kości pamięci 512 GB UFS znajdą zastosowanie w smartfonach nowej generacji. Z tego powodu raczej nikogo nie zdziwi, jeżeli producent wyposaży w nie Galaxy S9 i Galaxy S9+. Ja jednak mimo wszystko w to wątpię i – jeżeli już – to spodziewałbym się tych kości dopiero w Galaxy Note 9, ewentualnie w jakiejś specjalnej, ekskluzywnej edycji przyszłorocznych flagowców.
Samsung przy okazji przekonuje, że nowe kości pamięci pozwolą smartfonom premium nowej generacji przezwyciężyć ograniczenia w płynności działania systemu, jakie mogą wystąpić w przypadku korzystania z kart microSD. Fakt, dysponując 512 GB pamięci wbudowanej, i to w dodatku typu UFS, raczej nikt nie pomyśli o tym, żeby korzystać jeszcze z zewnętrznego nośnika.
Producent dodaje również, że jego nowe kości pamięci pozwolą przechować na smartfonie aż 130 filmów w rozdzielczości 4K (3840×2160 pikseli) i długości 10 minut, co oznacza aż dziesięciokrotnie większą pojemność niż w przypadku kości 64 GB UFS. Koreańczycy podali też, że sekwencyjny odczyt i zapis odbywa się z prędkością – odpowiednio – do 860 MS/s i 255 MB/s. W praktyce oznacza to, że 5 GB film w jakości Full HD zostanie przesłany na dysk SSD w około sześć sekund, co jest wynikiem ponad ośmiokrotnie lepszym niż w przypadku typowej karty microSD.
Jeżeli zaś chodzi o operacje losowe, to pamięć odczyta 42000 IOPS i zapisze 40000 IOPS. Warto dodać, że w tym ostatnim przypadku jest to około 400 razy szybciej w porównaniu z przeciętną kartą microSD, która „wyrabia” średnio 100 IOPS.
Źródło: Samsung
