Samsung zajmuje się produkcją różnych podzespołów. Stale stara się rozwijać i opracowywać nowe rozwiązania, które zwiększą zarówno możliwości, jak i komfort użytkowania danego urządzenia. Tym razem pochwalono się rozpoczęciem masowej produkcji modułów pamięci o pojemności 256 GB.
Wykorzystują one standard UFS 2.0, dzięki czemu działają blisko dwa razy szybciej w porównaniu do dysków SATA SSD, wykorzystywanych w komputerach osobistych. Pozwala on stworzyć nie tylko ultraszybkie, ale również kompaktowe (czyli o bardzo małych rozmiarach – mniejszych nawet od karty microSD) i o dużej pojemności moduły pamięci.
Najnowszy chip wykorzystuje technologię V-NAND i potrafi wykonać 45000 operacji wejścia i 40000 wyjścia na sekundę (IOPS) dla losowego odczytu i zapisu. Jest to o ponad dwa razy szybciej od – odpowiednio – 19000 i 14000 operacji, które umożliwiało UFS poprzedniej generacji.
Sekwencyjny odczyt może odbywać się przy jednoczesnym użyciu dwóch ścieżek z prędkością do 850 MB/s, czyli blisko dwa razy szybciej niż w przypadku standardowych dysków SATA SSD w komputerach osobistych. Jeśli natomiast chodzi o sekwencyjny zapis, to jego maksymalna prędkość może wynieść 260 MB/s – około trzy razy szybciej niż potrafi to robić wysokiej klasy karta microSD. Co więcej, w połączeniu z USB 3.0 będzie można przesłać około 90-minutowy film w jakości Full HD (średnio zajmuje on 5 GB) w zaledwie 12 sekund.
Samsung pochwalił się, że rok temu zaprezentował światu moduł pamięci 128 GB UFS. 12 miesięcy później pokazał chip o pojemności 256 GB, a do tego wykorzystujący technologię nowej generacji – UFS 2.0. Zapowiedziano również, że prace i rozwijanie tego komponentu będą trwały nadal, więc kto wie czy za rok nie ujrzymy kości 512 GB UFS 3.0?
Źródło: Samsung
