Tego roku Qualcomm na pewno nie zaliczy do udanych. Wszystko przez ogromne problemy ze Snapdragonem 810, który ma nadzwyczajne problemy z przegrzewaniem się przy wykorzystywaniu pełni jego mocy. Dlatego też Amerykanie znacznie przyspieszyli pracę nad nowym SoC dla high-endów, czyli modelem 820. Jakie zmiany zostaną w nim wprowadzone?
Najważniejszą zmianą będzie przejście na autorskie rdzenie Kyro, które powstały w oparciu o konstrukcje ARM Cortex. Jak przystało na nowość Qualcomma, pozwoli ona na uzyskanie wysokiej częstotliwości taktowania. Podobno Snapdragon 820 będzie mógł poszczycić się zegarem 3 GHz. Mam jednak nadzieję, że przełoży się to szybką i płynną pracę, a przy okazji nie okaże się zabójcze dla wytrzymałości baterii.
W dodatku Amerykanie zrezygnują z procesu technologicznego 20 nanometrów. Wiemy już, że nowy „smoczy” układ będzie powstawał w fabrykach Samsunga w procesie 14 nm. Na pewno będzie to jednoznaczne ze znacznie mniejszym poborem prądu oraz wydzielaniem ciepła. Pytanie, czy tym razem Qualcomm dopracuje swoją jednostkę.
Snapdragon 820 ma zostać użyty w high-endach, które zadebiutują dopiero pod koniec roku. Jednym z takich modeli ma być Xiaomi Mi5, a także LG G4 Pro. Jestem ciekaw, jak będą wypadać pod względem wydajności na tle Samsunga Galaxy Note 5 (Exynos 7422) czy Honora 7 (Kirin 935).
źródło: mobile-dad przez Gizmochina
