Koreański koncern Samsung opublikował notatkę prasową mówiącą o rozpoczęciu masowej produkcji nowej generacji kości pamięci dedykowanym urządzeniom mobilnym. Są to wykonane w technologii 20 nm układy o pojemności 3GB i szybkości 2133 Mbps/pin. Do producentów telefonów komórkowych i – jak mamy nadzieję – tabletów trafią w drugiej połowie bieżącego roku.
Istnieje duże prawdopodobieństwo, że Wasz nowy smartfon będzie miał więcej pamięci operacyjnej niż średniej klasy komputer przenośny. Popularny wśród wytwórców elektroniki użytkowej trend polegający na nieustannym powiększaniu przekątnej ekranu, przyspieszaniu procesora i dodawaniu megapikseli w aparacie fotograficznym nie ma się ku końcowi. Szacuje się, że będzie rósł w siłę do momentu, w którym urządzenia mobilne będą mogły dorównać wydajnością i funkcjonalnością laptopom, choć wtedy celem nadrzędnym okaże się pokonanie ich.
3GB RAM w telefonie lub tablecie to bardzo dużo. W chwili obecnej sprzęt z najwyższej półki wyposażany jest w 2GB pamięci, które gwarantują płynną pracę, szybkie uruchamianie się aplikacji oraz bezproblemową wielozadaniowość. Niemniej jednak, na karcie specyfikacji 3GB RAM prezentuje się zdecydowanie lepiej niż 2GB i w oczach wielu producentów może być kartą przetargową w walce o klienta. Pierwsze wyposażone w tę technologię urządzenia pojawią się na rynku w okresie przedświątecznym i będą rządzić i dzielić do momentu pojawienia się następców… Co nastąpi wkrótce potem, ponieważ na 2014 rok południowokoreańska firma SK Hynix zapowiedziała premierę kości pamięci o pojemności 4GB.
Istnieje duże prawdopodobieństwo, że jednym z pierwszych tabletów wyposażonych w 3GB lub 4GB RAM będzie Google Nexus 10 drugiej generacji.
via Liliputing
